# 前言介绍
相较于中性原子而言,离子具有电荷,故陷俘与囚禁也相对容易一些。从 20 世纪 50 年代开始 ,不同种类的离子阱逐渐被发明和投入使用。根据 Earnshaw 定理,我们是无非仅仅使用静电场对带电离子实施囚禁的。因此,Hans Dehmelt 提出用静磁场辅助静电场囚禁离子,即 Penning 阱;Wolfgang Paul 提出采用交流电场和静电场来囚禁离子,即 Paul 阱。
在这里,将介绍 Penning 阱。
![图1 Penning阱实物 图1]()
# Penning 阱中离子运动分析
Penning 阱的储存空间如图 2 所示,它由两个端电极和一个环电极组成,三个电极的内表面都是以z 轴为对称轴的旋转双曲面。三个电极的内表面所包围的空间即为离子的存储空间。
![图2 Penning阱存储空间结果示意图 图2]()
正如上图所示,在存储空间的中心O 为原点,建立柱坐标系,设原点到端电极的最短距离为z0,到环电极的最短距离为r0,且我们可以令r0=2z0。在环电极和端电极之间加直流电压V0,其中端电极接地,这样阱内电势可以描述为
Φ=⎩⎪⎪⎨⎪⎪⎧0,V0,2V0,r=0,z=z0r=r0=2z0,z=0r=0,z=0(1)
Φ(r,z)=4z02V0(r2−2z2)+2V0(2)
r2=x2+y2(3)
同时沿z 轴在阱内加入匀强磁场B,即
B=B0ez(4)
离子在 Penning 阱中的运动由它所受到的电场力和磁场力来决定。质量为m, 电量为q, 速度为v 的离子,在 Penning 阱内所受到的力为
F=qE+qv×B(5)
其中电场各分量为
⎩⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎨⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎧Ex=−∂x∂Φ=−2z02V0xEy=−∂y∂Φ=−2z02V0yEz=−∂z∂Φ=z02V0z(6)
# 离子沿 z 轴运动
因磁场对z 方向的运动无影响,因此离子沿z 轴的运动方程为
⟹mz¨=qEz=z02qV0zmz¨−z02qV0z=0(7)
设
ωz2=−mz02qV0(8)
因此,可得z 轴方向的运动方程是一个简谐振动方程
z¨+ωz2z=0(9)
由此,离子在z 轴方向的运动可以总结如下:
- 为了保证(9) 式的确是一个简谐振动方程,必须保证ωz2=−mz02qV0>0。因此,若离子带正电荷(q>0),必须V0<0;若离子带负电荷(q<0),必须V0>0。否则方程(9) 的解将是一个指数函数,离子将逃逸出阱。
- 若保证了ωz2=−mz02qV0>0,则离子沿z 方向做简谐运动,振动频率为ωz=−mz02qV0。ωz 与环电极和端电极之间的直流电压V0 以及离子的比荷q/m 有关。
# 离子在 xy 平面上的运动
在与z 轴垂直的xy 平面内,离子的运动方程为
⎩⎪⎪⎨⎪⎪⎧mx¨=qy˙B0−2z02qV0xmy¨=−qx˙B0−2z02qV0y(10)
设
ωc=mqB0(11)
利用(8)(11) 式,可将(4) 式改写为
⎩⎪⎪⎨⎪⎪⎧x¨=ωcy˙+21ωz2xy¨=−ωcx˙+21ωz2y(12)
解上式微分方程组有一个方法,令η=x+iy,则有η˙=x˙+iy˙, η¨=x¨+iy¨。可以利用写出一个有关η 的方程,(5) 式分别是该方程的实部与虚部
η¨+iωcη˙−21ωz2η=0(13)
设η=Ae−iω,代入(13) 式,得:
ω2−ωcω+21ωz2=0(14)
很轻易可以解得(14) 式的一元二次方程
ω=ω±=2ωc±2ωc1−ωc22ωz2(15)
在一般的实验条件下,以H+ 为例,参数与值如下
参数 | Value |
---|
z0 | 5cm |
q | 1.6×10−19C |
m | 1.67×10−27kg |
V0 | −4.7V |
B0 | 0.7T |
在这些参数下,可计算得ωc=67.5MHz,ωz=480KHz。也就是说,在我们关心的范围内,通常满足ωc≫ωz,因此(15) 式可改写为
⎩⎪⎪⎪⎨⎪⎪⎪⎧ω+=2ωc+2ωc1−ωc22ωz2≈2ωc+2ωc(1−ωc2ωz2)≈ωcω−=2ωc−2ωc1−ωc22ωz2≈2ωc2ωz2≈ωm(16)
在前面的实验条件下,有:ω+≈67.489MHz,ω−≈1.7KHz。所以(13) 式的通解可写为
η=A1e−ω+t+A2e−ω−t(17)
而也就是说,(12) 式的通解可写为
⎩⎪⎪⎨⎪⎪⎧x=A1cos(ω+t+θ1)+A2cos(ω−t+θ2)y=A1sin(ω+t+θ1)+A2sin(ω−t+θ2)(18)
因此,在xy 平面内离子的运动可分解为:几乎是在原地绕着磁感线旋转,频率为ω+ 的快速转动,振幅通常很小;绕z 轴的转动,频率为ω− 的慢转动,振幅通常较大。
# 阱内离子运动总结
离子在 Penning 阱内的运动为以下三种运动的叠加:
- 沿磁场B方向,即阱的对称轴z 方向的简谐振动,角动量ωz=−mz02qV0。
- 绕磁感线旋转频率为ω+=ωc−ω− 的回旋运动,ωc=qB/m 是真正的回旋角频率,ω+ 叫做修正的回旋频率。
- 垂直于z 轴及径向绕z 轴的漂移运动,角频率ωm=ω−≈2ωcωz2,ωm叫磁控频率。
这三种运动的叠加使离子产生如图 3 中实线所示的 “向心” 运动虚线为半径大频率小的漂移运动,实线为 3 种运动的合成轨迹。
![图3 Penning阱中离子运动轨迹 图3]()
# Penning 阱的优缺点
优点:
- 与其他种类离子阱相比,Penning 阱不存在额外的加热机制(例如 Paul 阱中的射频加热效应)。
- 囚禁时间长,囚禁效果好。室温下离子的运动半径为80μ,多普勒冷却极限下(1mK) 运动半径为0.15μm。
缺点:
- 阱中的离子处于亚稳定的平衡状态,且引入较大磁场 (0. 1 T 量级) 可能会对离子能级引入较大的频移。
- Penning 阱受限于其囚禁电场的限制,结构单一且过于封闭,不利于激光的馈入与探测,限制了其在原子分子光学实验中的应用。
# 参考资料
文献:
[1] 刘名扬,任晓斌,张民.Penning 阱中离子运动的分析 [J]. 物理实验,2007 (09):38-39+41.
[2] 秦浩然,张建伟,王力军。基于囚禁离子的微波频标研究进展 [J]. 计测技术,2023,43 (03):29-42.
非文献:
[1] 知乎,离子阱的前世今生,https://zhuanlan.zhihu.com/p/496598901